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HIFU晶圆分离-Wafer Separation
HIFU晶圆分离-Wafer Separation
超声波晶圆分离/声学显微切割/非接触式晶圆剥离
其原理是利用凹球面自聚焦压电陶瓷片产生超声空化效应来实现破碎，与半导体晶圆分离的传统应用方式与场景(刀片切割,激光烧蚀,隐形切割,等离子体切割)有本质区别。
HIFU(High-Intensity Focused Ultrasound，高强度聚焦超声)晶圆分离是一种非接触式晶圆切割/分离技术，利用超声波的高频振动，通过液体介质(水膜/水槽)传递到晶碇内部已预置的激光改质层，使微裂纹受控扩展，从而将晶圆从晶碇上洁净、无损地分离，其采用与普通工业超声完全不一样的技术路线，确保高精度、高聚能、无应力的精准能量释放。
高精度聚焦超声HIFU因凭借非接触式(无应力损伤)、无碎屑(洁净分离)、均匀无崩边(良率控制)、无耗材(生命周期效费比)、高适配性(mm级晶圆～百微米级晶圆～超薄晶圆<50μm)优势明显、高良率、工艺可重复可控等诸多特性可完整用于SiC、GaN等晶圆分离/先进封装和MEMS(微机电、微电子系统)已逐渐进入产业化阶段，随着高性能高精度聚焦超声技术的发展(准微米级)。它通常配合激光隐形切割(Stealth Dicing / SD) 工艺使用，形成”激光改质 + 超声分离”的两步法流程。
现我们提供微电子加工行业客户完整晶圆分离Wafer Separation解决方案，可依照客户需求提供不同配置方案，诸如核心部件供应，核心部件定制，交钥匙系统交付，自动化产品匹配嵌入等各种灵活合作方式。
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